高效選型 · 技術(shù)迭代｜束蘊(yùn)儀器助力大規(guī)模儀器設(shè)備更新

更新時(shí)間：2024-04-17

點(diǎn)擊次數(shù)：1070

政策背景

日前，國家印發(fā)《推動(dòng)大規(guī)模設(shè)備更新和消費(fèi)品以舊換新行動(dòng)方案》，強(qiáng)調(diào)實(shí)行大規(guī)模設(shè)備更新和消費(fèi)品以舊換新，其中提到“提升教育文旅醫(yī)療設(shè)備水平。推動(dòng)符合條件的高校、職業(yè)院校（含技工院校）更新置換先進(jìn)教學(xué)及科研技術(shù)設(shè)備，提升教學(xué)科研水平。嚴(yán)格落實(shí)學(xué)科教學(xué)裝備配置標(biāo)準(zhǔn)，保質(zhì)保量配置并及時(shí)更新教學(xué)儀器設(shè)備"。

在此戰(zhàn)略背景下，束蘊(yùn)儀器緊跟國家政策，結(jié)合自身發(fā)展，高效選型，技術(shù)迭代，提供高級(jí)、智能、綠色、安全的科學(xué)儀器，助力各大高校及科研院所、企業(yè)等提供全部的儀器設(shè)備更新解決方案。

束蘊(yùn)儀器選型指南

束蘊(yùn)儀器聚焦在為高校、科研院所、航空航天、檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)、及工業(yè)企業(yè)提供實(shí)驗(yàn)室材料檢測(cè)解決方案。產(chǎn)品覆蓋了醫(yī)藥、生物、材料、考古、電子、食品等各個(gè)行業(yè)。重點(diǎn)圍繞為客戶量身打造適合的綜合解決方案，多方位的技術(shù)支持和現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)，優(yōu)異高效的客戶培訓(xùn)，快速及時(shí)的售后服務(wù)。

高分辨三維X射線顯微鏡 XRM 應(yīng)用方向

油氣地質(zhì)、材料科學(xué)、制藥及醫(yī)療器械、土木工程、農(nóng)林科學(xué)、鋰電新能源、半導(dǎo)體芯片(封裝)/電子元器件、生命科學(xué)、增材制造（3D打印）、食品科學(xué)、考古、4D原位測(cè)試。

多量程納米級(jí)三維X射線顯微鏡（Nano CT）

SKYSCAN2214

500nm空間分辨率；
開管光源，可達(dá)到更小的焦點(diǎn)尺寸，且時(shí)刻保持光管性能處于優(yōu)異狀態(tài)；
科研級(jí)CMOS探測(cè)器，更先進(jìn)的成像技術(shù)、更快的讀取速度、更大的成像視野；
多探測(cè)器配置，針對(duì)不同樣品類型、不同測(cè)試要求都能給出適合的解決方案；

X射線衍射儀（XRD）應(yīng)用方向

應(yīng)用領(lǐng)域：新能源正負(fù)極材料、電解質(zhì)等；制藥行業(yè)API晶型篩選及雜質(zhì)定量等；半導(dǎo)體單晶和外延層材料的結(jié)晶完整性分析等；金屬材料應(yīng)力、織構(gòu)等分析；以及所有材料物相的定性定量分析。

少數(shù)載流子測(cè)量系統(tǒng)（MDP）應(yīng)用方向

用于表征材料體壽命和表面鈍化質(zhì)量，為器件設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化提供重要參數(shù)；硅 | 化合物半導(dǎo)體| 氧化物 | 寬帶隙材料| 鈣鈦礦 | 外延層｜碲化鎘 | 磷 | 硫化鋅 | 碳化硅 | 砷化鎵 | 氮化鎵 | 鉻的少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率、溫度相關(guān)的缺陷表征、雜質(zhì)濃度、LBIC光束誘導(dǎo)電, 活化能和俘獲截面缺陷發(fā)射，界面缺陷，深能級(jí)缺陷（從寬禁帶到窄禁帶提供完善解決方案）。

熱釋光、光釋光測(cè)試儀（TL/OSL）

廣泛應(yīng)用于各種材料的輻射劑量測(cè)定，應(yīng)用于地質(zhì)學(xué)和考古學(xué)年代測(cè)定、回顧劑量學(xué)、法醫(yī)學(xué)和事故劑量測(cè)定、輻射防護(hù)、材料研究等領(lǐng)域。

SPS/RES表面光電壓和電阻率測(cè)量系統(tǒng)

SPS系列設(shè)備使用從紫外到近紅外連續(xù)性的脈沖光學(xué)系統(tǒng)對(duì)材料能帶中各種微小的能級(jí)缺陷從時(shí)間或能量維度進(jìn)行區(qū)分，具有優(yōu)異的能量信號(hào)分辨率和時(shí)間分辨SPV光譜；通過捕獲光生電荷分離、捕獲、擴(kuò)散、遷移造成的空間光電壓差，對(duì)材料進(jìn)行質(zhì)量品控以及研究其能級(jí)缺陷等方面的信息。

應(yīng)用：

一、金屬鹵化物鈣鈦礦中的擴(kuò)散長度

二、寬禁帶半導(dǎo)體中體極化現(xiàn)象的非接觸檢測(cè)

三、金剛石中的電子躍遷

四、寬禁帶金屬鹵化物鈣鈦礦中缺陷水平的測(cè)定

五、優(yōu)化Ga2O3探測(cè)器的檢測(cè)極限

六、光催化材料的研究(BiVO4)

七、光催化材料的研究與監(jiān)測(cè)(TiO2)

八、揭示光電化學(xué)電池中掩埋界面的損耗機(jī)制

九、共軛有機(jī)聚合物、分子和納米復(fù)合材料中的電子躍遷